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フォトレジスト用レヂトップ

  • 特長
  • 詳細
  • ラインナップ
長年の材料設計技術をベースに新しいニーズに合う新技術を開発し電子機器の高機能化を支え続けます。

日本で初めて1980年に半導体フォトレジスト用ノボラックの製品化に成功し、業界で世界唯一のg-線から最先端レジスト材料の一貫した開発と生産技術を磨き続けています。

フォトレジスト用レヂトップ

フォトレジストは、半導体やテレビ、スマートフォンなどを代表とする表示機器を製造する際に用いられる材料で、弊社の材料はフォトレジストの重要素材です。

特長
  • 自在の分子量とADR(Alkali Dissolution Rate)の設計。
  • 自在の分子量及び分子量分布のコントロール。
  • 生産プロセスと分析ツールに裏付けられた安定製造。
  • ppbレベルの金属不純物管理。
  • ノボラック、PHS、アクリルポリマーなど材料のカスタマイズ設計。
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自在の分子量とADR(Alkali Dissolution Rate)の設計。

モノマー組成比の変化及び設計により分子量とADRを自在にコントロールできることは勿論、同一組成でも特殊合成条件により分子量とADRを変化させることが可能です。

自在の分子量とADRの設計
自在の分子量及び分子量分布のコントロール。

分子量分布のコントロールで常用される分画による樹脂製造をすることができます。
また更に合成方法でも分子量分布を変化させることが可能です。
ノボラックでも分子量分布(PD)2.0程度までコントロールすることが可能です。

生産プロセスと分析ツールに裏付けられた安定製造。

電子材料用ノボラック樹脂の製造ロット間の違いから発生する顧客要求の特性に与える影響は、一般的なNMRやGPCによる分析手法で確認することは困難です。
そこで弊社は、独自の樹脂分析及び解析手法を確立し、その解析結果を製造プロセスにフィードバックすることで安定した樹脂特性を得る生産技術を確立しています。

ppbレベルの金属不純物管理。

ppbレベルの金属不純物管理 徹底した原料管理から製造時の接液部材などのコンタミ管理及び金属除去技術を駆使し、Na、Fe、Cr、Niなどの金属不純物の数百ppb~数ppbまでの製品規格化を目指しています。 また半導体業界で必要とされる24元素の金属種管理に挑戦しています。

ノボラック、PHS、アクリルポリマーなど
多彩な材料のカスタマイズ設計。

多種多様な要求に材料設計で技術が応えるのみならず、製造、販売、品管も顧客満足度を向上させるべくレスポンス良くカスタマイズに応えております。
また弊社の生産技術を活用して頂ける様、OEMも積極的に取り組みを検討致します。

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用途
  • 半導体フォトレジスト
  • g-線フォトレジスト
  • i-線フォトレジスト
  • KrFフォトレジスト
  • ArFフォトレジスト
  • 多層レジスト
  • LCDフォトレジスト
  • TFTアレイフォトレジスト
  • OLEDフォトレジスト
  • 永久保護膜
  • カラーフィルター(CF)
  • ブラックマトリックス(BM)
  • パッシベーション(電極保護)
  • 電子材料用架橋剤(クロスリンカー)
  • 特徴
  • 詳細
  • ラインナップ

本製品・ソリューションに関するお問い合わせ

電子材料販売課(東京支店)
〒104-0031
東京都中央区京橋1丁目14番4号
(京橋TSビル5階)
TEL 03-3567-5081(代表)

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